谦合益邦打造全球首款4层3D DRAM存算一体芯片

近日，3D存算一体芯片领军企业谦合益邦宣布，其自主研发的全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮，标志着4层3D DRAM堆叠存算一体芯片从技术验证正式迈入工程落地阶段。

该芯片采用谦合益邦自研的全新三维集成原生计算架构与3D DRAM堆叠技术，在全球范围内首次实现4层芯片在垂直方向的高密度集成，将计算单元与存储单元在三维空间中深度融合，从根本上突破了传统平面架构下计算与存储分离带来的“内存墙”瓶颈。

在这一基础之上，该芯片采用了以逻辑层为基底，4层DRAM堆叠于其上的“4+1”三维堆叠架构，将垂直扩展能力和空间提升到了新的高度。要知道，垂直扩展能力可是决定存算一体芯片访存带宽与存储容量上限的关键所在：堆叠层数越多，大规模并行计算与高并发数据流处理能够调用的存储带宽与容量就越充裕。但每增加一层，良率、可靠性与热管理等技术挑战也会成倍增加，层间对准精度、垂直互连一致性、堆叠散热控制，每一个环节都对设计与工艺的极限构成考验。这一“4+1”堆叠架构的成功突破，将三维集成原生计算架构的工程落地推进到了4层堆叠的全新高度，这无疑标志着我国在三维存算一体芯片领域取得了重大成果。

通过采用全新的三维集成原生计算架构，该芯片实现了全方位的性能跃升：数据访存带宽较传统方案提升一个数量级，访存功耗和延时降低一个数量级，单位时间数据处理吞吐量提升一个数量级，单次数据处理成本下降一个数量级。这一系列指标的系统性突破，为以云游戏为代表的大规模并行计算与高并发数据流处理场景，提供了全新的硬件加速范式。

谦合益邦，成立于2024年1月，是网易孵化的国内首批专注于3D存算一体、三维集成原生芯片架构和云游戏应用加速的芯片企业。早在2018年，公司核心团队就率先开启了全球第一款基于3D DRAM存算一体架构芯片的探索研发与量产之路。当时，“存算一体”还仅仅处于学术探讨阶段，而团队已经抢先进入市场，验证技术路线。经过六年的先行积累，以及多轮流片、多次试错和多代架构迭代的沉淀，如今公司形成了芯片行业极为稀缺的技术壁垒。从架构定义、前后端设计，到先进3D封装、晶圆制造，公司联合国内产业链伙伴打通了全流程闭环，实现了核心技术的自主可控。

近期，公司刚完成超20亿元的B轮融资，网易有道与中国移动链长基金作为长期股东及合作伙伴，在业务层面与公司形成深度协同，为芯片规模化落地提供了坚实的需求入口与验证场景。

未来，谦合益邦将持续深耕3D存算一体技术，用极致性能的芯片赋能更多应用场景，以芯为基，以存算为桥，迈向中国芯片产业的三维集成新时代。（(公众号：)）