铠侠公布BiCS10闪存路线图，计划2026年出样1Tb TLC产品

在近日举行的投资者日活动中，铠侠（KIOXIA）公布了其下一代闪存技术的详细规划。这家存储巨头宣布，计划于

，该产品将主要应用于支持PCIe Gen6接口的下一代企业级固态硬盘中。此举标志着铠侠在应对数据中心与AI推理带来的爆炸性存储需求方面，迈出了关键一步。

铠侠对市场趋势的判断，为其产品策略提供了清晰的背景。该公司预测，从2026年到2028年，整个NAND市场的出货容量将以22%的复合年增长率增长。其中，数据中心领域的增速将达到惊人的46%，而AI推理这一细分市场的增速更是高达86%。与此形成鲜明对比的是，PC和智能手机等传统消费电子领域的需求预计将持平或小幅下降。

BiCS10技术路线：追求成本与性能的平衡

技术细节方面，BiCS10采用了332层堆叠设计。值得注意的是，这一层数低于部分竞争对手已公布或规划中的更高层数产品。铠侠对此做出了解释，强调在当前技术阶段，

。更高的堆叠意味着更复杂的工艺和更高的制造成本，同时还会对能效和可靠性产生负面影响。

铠侠声称，其332层的BiCS10设计，与假设的400层产品相比，实现了10%的成本降低、10%的能效提升以及35%的可靠性优势。这一设计思路反映了该公司从单纯追求堆叠密度，转向更注重综合性能与成本效益平衡的战略转变。

市场策略与未来投资

基于对市场供需的判断，铠侠正将其业务重心进行战略性调整。该公司认为，当前是NAND市场供需失衡最为严重的时刻，虽然未来情况将逐步改善，但

。在此背景下，铠侠正专注于数据中心和企业级业务，目标是使该细分市场对公司整体营收的贡献比例提升至60%以上，通过高附加值产品来驱动盈利能力的增长。

为了支持这一雄心勃勃的计划，铠侠宣布在2026至2028财年期间，其平均资本支出和研发支出都将比2025财年的水平增长60%以上。公司计划快速推进制程升级，目标是实现每年约10%的前端单位容量成本降低。此外，铠侠已开始评估其北上市生产基地的进一步扩建计划，目标是在2029财年之后实现投产。