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国产半导体设备龙头中微半年利润大涨300% 产品已用于3nm及以下工艺

来源:互联网 时间:2026-08-20 08:29:05

8月19日,有消息传来,市值超3500亿的国产半导体设备龙头企业中微公司公布了2026年半年报。数据显示,上半年该公司营业收入达66.91亿元,同比增长34.89%;归属于上市公司股东的净利润为28.25亿元,同比大增300.22%。

扣除非经常性损益后,归母净利润为11.23亿元,同比增长108.36%。

中微公司还宣布了新的扩产计划,全资子公司中微临港拟在临港新片区投资建设中微临港产业化基地(二期)项目,计划总投资35亿元,其中固定资产投资17亿元。

项目聚焦刻蚀设备、量检测设备、薄膜沉积设备等优势产品,达产后预计可实现年销售收入30亿元。

中微公司提到,公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升,在先进逻辑器件和先进存储器件中多种关键刻蚀工艺实现大规模量产。

具体来说,在逻辑集成电路制造环节,公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进的生产线上并用于3纳米及以下器件中若干关键步骤的加工;

同时,公司根据先进集成电路厂商的需求持续进行设备开发和工艺优化。

在3D NAND芯片制造环节,公司的等离子体刻蚀设备已应用于128层及以上的量产,同时公司根据存储器件客户的需求正在开发极高深宽比的刻蚀设备和工艺;公司也根据逻辑器件客户的需求,正在开发更先进刻蚀应用的设备。

公司的MOCVD设备Prismo A7、Prismo UniMax能分别实现单腔 34片4英寸和 41片4英寸外延片加工能力。

公司的Prismo A7与 Prismo UniMax设备技术实力突出,已在全球氮化镓基LED MOCVD市场中占据领先地位。

公司和诸多一流的 LED 外延片厂商公司紧密合作,实现了产业深度融合。

公司研发的12英寸低压薄膜沉积设备,能够满足先进逻辑电路接触孔填充工艺以及128层及以上3DNAND的多个工艺制程要求。不仅如此,公司还在全力推进更先进逻辑电路的接触孔填充设备,以及更多层数存储器件接触孔和金属互联填充设备的开发与工艺验证工作。

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