铠侠BiCS10以332层实现全球最高存储密度，开辟低层

2026年8月5日，NAND闪存技术持续向更高堆叠层数演进，当前主流厂商已将3D NAND层数推进至400层以上。然而，铠侠并未将竞争焦点放在单纯提升层数上。其最新一代BiCS10架构闪存采用332层堆叠结构，却实现了全球最高的单位面积存储密度。

铠侠源自日本东芝闪存事业部，是NAND闪存技术的创始者之一，目前与合作伙伴共同开展研发与制造。其独有的BiCS立体堆叠技术路径，在长期实践中展现出对容量密度的卓越优化能力，与三星、SK海力士、美光等厂商形成差异化发展路线。

虽然行业头部企业正在加快推动400层以上产品落地，但铠侠在层数指标上依然保持审慎节奏：

，前代。铠侠同时强调，层数并不是决定性能优劣的唯一关键因素——更低的物理堆叠层数，反而能够带来多方面优势。根据公开数据，与同代竞品相比，铠侠332层方案在层数减少约23%的情况下，单位GB制造成本仅下降不足10%，同时实现能效提升逾10%、器件可靠性提高35%以上。

此前一直未对外披露的核心指标——

，已在近期国际存储峰会上正式公布。数据显示，BiCS10架构QLC闪存的密度达到37Gb/mm²，TLC闪存为29Gb/mm²，这两项数据均位居全球首位。为了更直观地理解这一优势，我们可以将其与行业巨头的数据进行对比：三星的V10代TLC闪存密度为28Gb/mm²（层数超过400层），而SK海力士的Gen9代TLC与QLC密度则分别为20Gb/mm²和21Gb/mm²（对应层数为276层与321层）。通过对比可以看出，BiCS10在同等层数甚至更优的层数下，实现了显著更高的存储密度。

由此可见，铠侠在未采用超高堆叠层数的情况下，凭借工艺与架构协同优化，实现了业界领先的密度表现。需要指出的是，其QLC产品所达成的37Gb/mm²密度，虽与友商TLC规格对比存在类型差异，但若按等效QLC推算三星同类产品密度，二者基本持平。因此，铠侠所主张的“更低层数、更高密度”具备扎实的技术支撑。

与此同时，行业进展亦需客观看待：三星与SK海力士300至400层产品已进入量产或客户送样阶段，而铠侠BiCS10尚未全面发布，量产节奏相对延后。这一时间差意味着后续市场格局仍具动态变化可能，密度领先优势或将随对手新品上市而逐步收窄。