国产纳米压印光刻技术实现突破，光芯片制造成本降至传统方案十分之一

近日，一项国产光刻技术取得关键进展，成功实现了8英寸光芯片的可规模化量产验证。这项技术完全绕开了传统的深紫外（DUV）光刻路线，据称能将光芯片的制造成本压缩至DUV方案的

，为国内相关产业带来了新的技术路径选择。

此次量产验证的核心，是一台自主研发的真空气压式晶圆级纳米压印光刻设备。与行业主流的辊压或步进式路线不同，该设备采用了创新的“空气垫”式面接触压印原理。官方数据显示，其能将晶圆整面压力均匀性误差控制在

，残余层厚度偏差小于，同时支持硬质与柔性模板，线宽分辨率可达10纳米以下。

技术原理与效率优势

相比辊压的线接触模式，气压式方案彻底解决了压印均匀性不足的问题。而与佳能的步进式工艺相比，其全域一次压印的效率被认为更适合光芯片的大规模生产。更关键的是，纳米压印技术实现了跨尺度微纳结构的一次成型。

传统DUV光刻在制造光芯片时，面对从几十纳米到数微米的复杂结构，往往需要多道工艺和多台设备配合。而纳米压印技术只需将所有结构制作在同一片模板上，一次压印即可完成复刻，这被认为能

。

应用前景与行业争议

目前，该技术已在多个光芯片领域实现量产验证，这些光芯片广泛应用于光通信、传感和激光雷达领域。然而，行业对于纳米压印技术的实际价值仍存在广泛争议。有观点指出，该技术在量产规模、良率以及非光子芯片领域的适用性尚未得到充分验证。

研究机构分析认为，尽管纳米压印设备本身成本更低，但其实际成本优势取决于产能、模板生产、缺陷率和工艺集成水平，

。相关公司也尚未披露具体的生产良率、出货量及客户订单等独立验证数据，其商业化规模仍有待进一步观察。

技术突破的背景与意义

此次突破也反映出在当前国际环境下，国内科技企业探索差异化技术路线的整体趋势。从发展重心转向系统级数据传输、先进封装和三维集成，到各类设备初创企业在细分芯片领域寻找实用的制造替代方案，国内半导体产业正在通过多条路径寻求技术突破。

据了解，研发该技术的公司成立于2017年，其创始人师从纳米压印技术先驱。2025年8月，该公司已交付国内首台半导体级纳米压印光刻设备。此次8英寸光芯片的量产突破，标志着国产纳米压印技术从实验室走向产业化应用的关键一步。