进一步增强逻辑性能：三星电子计划在 HBM5 内存导入 2nm 基础裸片

구자흠还提到，

，其基础裸片会支持更高密度的硅通孔（TSV），以满足行业对带宽和性能的进一步需求。选择2nm作为基础裸片工艺，目标很明确——。

作为对比，三星电子的HBM4和HBM4E都配备了4nm基础裸片，但两个版本的基础裸片其实有差异。三星充分发挥了自家4nm节点的灵活性优势：

，从而实现了14+ Gbps的高速运行；同时，，在降低功耗的同时优化了散热路径。这些细节可以看出，三星在基础裸片上的迭代思路是渐进但扎实的。