三星电子扩大与英伟达NAND供应合作 加速V9、V10闪存布局

三星电子与英伟达的合作，正在从DRAM、HBM和晶圆代工，进一步延伸到NAND闪存领域。7月21日，全链网报道了一则消息：三星已经开始量产第十代V-NAND（V10），并且已经向英伟达供货。同时，第九代V-NAND（V9）的产能也在扩大，下一代500层级的V11闪存也已进入开发阶段。 从产能数据来看，三星目前每月可生产超过10万片V-NAND晶圆，其中大约60%的产能分配给了V9产品。这意味着，三星不仅在技术上加速迭代，在产能布局上也已经为英伟达这样的核心客户做好了充分准备。要知道，V10的量产和供货，对于双方在AI数据中心、高性能计算等领域的存储需求来说，是一个关键的里程碑。 话说回来，存储芯片的竞争，从来不只是技术参数的比拼，更是供应链协同和量产节奏的较量。三星能在V9尚未完全铺开的情况下，就同步推进V10量产并启动V11开发，说明其对技术路线图有着清晰的规划。而英伟达作为全球最大的AI芯片供应商，对存储带宽和容量的需求几乎是“无底洞”，双方的合作深度，自然也会随着产品代际的升级而不断加深。 从行业角度看，三星与英伟达在NAND领域的合作，很可能带动整个存储产业链的又一次洗牌。毕竟，HBM已经让三星尝到了甜头，现在把NAND也纳入“英伟达生态”，无疑会进一步巩固其存储龙头的地位。当然，对于竞争者们来说，这可不是什么好消息。