华为小米研发LLW内存技术，手机AI性能或将提升1.5倍

随着手机端侧AI大模型的快速普及，内存带宽不足正成为制约体验提升的关键瓶颈。近日，有科技媒体援引爆料称，华&为、小米等中国手机厂商正在研发一种名为“低延迟宽字节DRAM”（LLW）的新型内存技术，旨在为移动AI应用带来质的飞跃。

传统的高带宽内存（HBM）虽然性能强大，但由于智能手机内部空间紧凑且散热问题难以解决，一直无法在移动设备上落地。而LLW技术采用了类似HBM的整合式设计思路，但并非真正的HBM，而是专门针对手机受限的空间与散热条件定制的版本，目标直指现有LPDDR内存的性能瓶颈。

性能与功耗的双重突破

根据爆料信息，LLW内存理论上能够带来约

，同时将功耗降低。尽管原始报道未明确指出比较基准，但外界普遍假设是以当前主流的LPDDR5X内存为参照。这意味着如果参数属实，未来手机在运行大型AI模型时，不仅运算速度会大幅提升，发热控制和续航表现也将得到显著改善。

为端侧AI发展铺平道路

业内分析指出，随着手机端侧AI模型参数不断攀升，单纯提升NPU算力已经无法满足需求，内存系统正成为最大的短板。LLW等新型内存技术的出现，有望从根本上缓解这一矛盾，为更复杂、更强大的手机AI应用铺平道路。不过，该技术目前仍处于传闻阶段，其商用时间预计在

，量产良率、成本控制和生态适配等关键问题都尚未明朗，所有细节仍有待官方和供应链的进一步证实。