功率器件，疯狂扩产

一个颇为矛盾的现象正在功率半导体行业上演：一边是SiC产能消化、衬底降价、部分企业承压的消息不断；另一边，英飞凌、芯联集成、意法半导体、安森美等头部厂商却在持续加码扩产，MOSFET、IGBT甚至出现了涨价信号。

这并非行业判断失灵，而是功率半导体正进入一个全新的结构性周期：低端产能过剩，但高端有效产能严重不足；汽车需求虽有波动，但AI和电网需求已迅速接棒；而竞争维度，正从单颗器件的较量，升级为系统级交付能力的比拼。

新能源车仍是基本盘

过去几年，功率半导体最重要的需求主线无疑是新能源汽车。虽然增速放缓，但需求体量依然庞大，只是增长逻辑已从“量的扩张”切换为“高压化升级”。在400V平台时代，硅基IGBT足以覆盖主流车型；但当800V乃至1000V成为中高端车型的快充卖点时，SiC MOSFET的角色就从“性能升级件”变成了决定系统效率与充电体验的“基础件”。

国际能源署（IEA）在《全球电动汽车展望2026》中给出了明确的数据：2025年全球电动车销量突破2000万辆，占新车销量的约四分之一；2026年预计将达2300万辆，占比约28%。报告还特别指出，2025年已出现首批1000V车型，虽然250kW以上超充适配车辆的存量占比仍低于5%，但销量正随着超充和兆瓦级充电设施的扩张而快速增长。

所以，车端仍然是功率器件最稳定的基本盘。

Yole的相关研究也佐证了这一判断：未来几年，汽车仍是功率SiC增长的主要驱动力，而800V纯电动车型（BEV）是其中最重要的拉动因素；与此同时，AI数据中心、可再生能源等应用，正在成为新的增长极。

这就解释了为什么行业会呈现出“看似矛盾”的状态：SiC的某些环节在降温，但8英寸SiC却在升温；低端器件并不稀缺，但高端车规级器件依然紧张；整体扩产规模很大，但真正能通过客户验证、实现稳定供货、进入主驱和AI电源系统的产能，仍然远远不够。

被AI重新点燃的功率器件周期

如果说过去功率半导体的最大叙事是新能源汽车，那么到了2026年之后，一个全新的变量已经不容忽视：

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过去谈到AI，大家关注的大多是GPU、HBM、先进封装、光模块和交换芯片。但当AI集群越做越大，底层问题开始浮现：电从哪里来？如何进入机房？如何进入机柜？如何进入服务器？最终，如何以更低的损耗供给GPU？

此时，功率器件就不再是一个不起眼的电源零部件，而成了AI基础设施能否继续扩张的底座。

AI算力越强，对供电效率、功率密度和热管理的要求就越高。传统服务器电源还能在相对稳定的功率区间内工作，但AI服务器的负载变化更为剧烈，机柜功率密度更高，电源系统必须变得更加高效、紧凑和可靠。

近期关于下一代AI数据中心供电架构的研究也表明，AI负载正在推高数据中心的电力需求、瞬态电流和热压力，同时暴露出传统48V机柜架构、低压交流配电和工频变压器接口的局限。

因此，AI对功率半导体的拉动，绝不仅仅是多买几颗MOSFET或PMIC那么简单。它可能深刻改变整个数据中心的供电架构。

从服务器电源，到机柜级电源，再到数据中心级的中压直流、固态变压器、高压DC/DC转换，功率半导体正在从“电子系统里的基础元件”，演变为“AI基础设施能否继续扩张的关键变量”。

这也是为什么今年上半年，MOSFET、IGBT、PMIC等产品重新出现了涨价预期。据财联社报道，AI数据中心需求的爆发，正在挤占8英寸成熟制程的产能，单台AI服务器对高压MOSFET、电源管理MOSFET的需求大幅提升，进一步加剧了8英寸产能的紧缺。新洁能、捷捷微电、芯联集成等厂商，都已出现不同程度的价格调整。

功率半导体的故事，因此被重新打开了。

过去，它只是新能源汽车供应链上的一个环节；现在，它正变成AI、汽车、储能、电网和工业电源共同争夺的基础产能。

全球龙头的防守反击

在这样的背景下，功率半导体龙头企业正在集体加码扩产，这绝非偶然。

2026年7月2日，英飞凌在德国德累斯顿举行了盛大的开业仪式，宣布其历史上单笔投资金额最大的项目——Smart Power Fab正式提速投产。这座斥资50亿欧元、并获得欧盟芯片法案下德国政府近9.2亿欧元补贴的工厂，投产后将使英飞凌在德累斯顿基地的300mm功率半导体及模拟/混合信号芯片产能直接翻倍，成为全球最大的智能功率器件与模拟芯片生产重镇。

与此同时，针对AI订单的爆发，英飞凌在年中追加了预算。近期财报及市场沟通会上，英飞凌大中华区及全球高管透露，由于AI服务器（如适配NVIDIA下一代GB300等架构）的电源组件需求远超预期，其AI相关业务营收预计在2026财年达到15亿欧元（2025财年仅为7亿欧元），2027财年更将直奔25亿欧元。

更值得关注的是，英飞凌还在重构业务组织。从2026财年第四季度开始，英飞凌将原有的四大事业部——汽车电子（ATV）、绿色工业功率（GIP）、功率与传感系统（PSS）以及互联安全系统（CSS），调整为三大事业部：Automotive、Power Systems和Edge Systems。其中，新设的Power Systems将整合AI数据中心电源、电网基础设施、工业、通信等非汽车功率相关业务。这一调整意味着，英飞凌正在将功率半导体从传统汽车和工业应用中进一步抽象出来，单独作为面向AI、电力基础设施和能源转型的核心增长平台。

意法半导体在意大利Catania建设的200mm SiC一体化制造基地，总投资预计约50亿欧元，并获得意大利政府约20亿欧元支持。该项目计划2026年开始生产，2033年满产后，产能最高可达每周1.5万片晶圆。

安森美也在捷克推进端到端SiC制造能力，计划进行最高20亿美元的多年期投资，覆盖硅和碳化硅的晶圆制造、抛光、外延等环节。

梳理一下这一轮扩产动作，不难发现，全球功率龙头仍在坚定押注SiC和先进功率器件，并没有因为SiC短期的消化压力而止步。过去，汽车是它们功率业务最重要的叙事；现在，AI数据中心、电网、电源基础设施的重要性正在快速上升。它们看中的，不是某一个季度的新能源汽车销量，而是未来十年整个能源系统的电气化、数字化和高压化趋势。

事实上，2026年上半年，英飞凌、TI、意法等全球20多家功率巨头，已因AI和电网需求挤爆产能，在4月1日和7月1日连续掀起了两轮“涨价潮”，部分AI电源组件的交期甚至传出长达40周，涨幅惊人。

本土功率半导体，进入有效产能建设期

再看国内，中国同时拥有全球最大的新能源汽车市场、迭代速度最快的AI硬件生态、庞大的储能和光伏产业链，以及正在快速增长的机器人和工业自动化场景。

这些产业都有一个共同特点：高度迭代。中国车企一年改款数次，800V平台快速下沉；AI服务器和智算中心的电源架构仍在变化；储能PCS、充电桩、机器人执行器和工业电源，都在追求更高效率、更小体积和更低成本。

这无疑是本土功率厂商的绝佳窗口期。但机会不只在“国产替代”这个层面，不只是替代海外一颗芯片，而是更快地参与客户定义、更快地完成验证、更快地调整封装和模块方案、更快地把成本降下来。

6月11日，芯联集成发布公告，拟在绍兴市与相关方合资建设一条月产能5万片的12英寸数模混合芯片生产线，作为公司的四期项目，计划总投资约200亿元，其中公司出资30.12亿元，持股25.1%。

可以看出，芯联集成并非单纯做一类器件，而是在往“系统级代工平台”的方向演进：8英寸硅基、12英寸硅基、6英寸/8英寸SiC、高压BCD、MEMS、模组封装、应用验证和可靠性测试，几乎全部覆盖。芯联集成管理层此前提出了三条增长曲线：硅基功率器件、SiC MOSFET芯片及模组、高压大功率BCD模拟IC，并预计2026年收入突破100亿元。

根据芯联集成披露的信息，2025年公司已构建起8英寸硅基、12英寸硅基、6/8英寸碳化硅三大产线：8英寸硅基产能为17万片/月，12英寸硅基产能为3万片/月，6英寸SiC MOSFET产能为8000片/月。公司还表示，2026年8英寸硅基和6英寸SiC产能利用率预计继续保持90%以上，12英寸硅基产能利用率有望达到80%以上。

芯联集成收购芯联越州，同样释放出强烈的产业信号。通过全资控股芯联越州，公司可一体化管理母公司10万片/月和芯联越州7万片/月的8英寸硅基产能，重点支持SiC MOSFET、高压模拟IC等业务。

芯联集成并非孤例，国内功率半导体正集体进入“有效产能建设期”的一部分。

士兰集宏的8英寸SiC功率器件芯片项目，总投资规划120亿元，分两期建设。一期投资70亿元，规划年产42万片、月产3.5万片8英寸SiC功率器件芯片，已于2026年1月4日通线，2026-2028年持续产能爬坡，预计2029年完全达产；二期计划新增年产30万片、月产2.5万片产能，最终一期和二期合计形成月产6万片8英寸SiC产能。

根据时代电气2026年3月的投资者关系活动记录，2025年公司半导体子公司收入55.32亿元，同比增长26.72%；其中IGBT收入48.53亿元，同比增长29.88%。公司还提到，宜兴产线自2025年6月底实现芯片线满产后，持续满载运营。另据2026年6月的投资者互动信息，时代电气三期株洲SiC产线已于2025年底投产，目前处于产能爬坡阶段，公司车规级SiC产品已有小批量交付。

扬杰科技方面，2025年年报显示，首条SiC车规级功率半导体模块封装项目已建成并投产。2026年4月的投资者关系记录中，扬杰科技还表示，8英寸晶圆项目、车规级功率芯片制造项目等核心项目，预计将在2026年下半年陆续投产，同时汽车电子、AI数据中心及储能业务均为战略重点方向。

晶盛机电2026年5月的投资者关系记录显示，其子公司浙江晶瑞电子材料正加速推进年产60万片8英寸SiC衬底项目的投产，并启动新一期基础设施建设；同时，马来西亚8英寸碳化硅衬底工厂预计2026年底通线投产。

天岳先进方面，2026年3月的报道显示，公司早在2024年就提出了96万片的产能规划并分步实施，8英寸产品已建立稳定的大规模供应体系，并与全球头部功率器件企业保持长期合作。

天科合达也在IPO材料相关报道中披露，已实现2英寸至8英寸SiC衬底规模化生产，并成功研发12英寸SiC衬底产品。

这一系列动作背后，并非简单的规模扩张，而是在补齐平台能力。中国功率半导体过去长期面临一个问题：单点器件可以突破，但系统能力不够完整。而现在，新能源车、AI服务器、机器人、储能、光伏逆变器、充电桩这些应用，都在倒逼功率厂商从“卖一颗芯片”转变为“提供一套经过验证的电力电子解决方案”。

产业矛盾：一边过剩，一边涨价

这轮功率半导体周期，最容易误判的地方，就是把“扩产”直接等同于“景气”。

事实上，行业并不是所有环节都好。

TrendForce在2026年全球SiC功率器件报告中判断，SiC行业正进入2-3年的产能消化阶段，需求集中释放后叠加短期波动，行业正在从技术驱动转向成本驱动，中低端车型将成为SiC渗透率提升的关键变量。

SiC已经过了“只要性能好就能卖高价”的阶段。接下来，车企会更关注成本，尤其是在中低端车型上，SiC能否从高端车下沉到主流车型，取决于整个产业链能否把成本打下来。

所以，功率半导体未来会长期存在一种结构性分化：普通6英寸SiC产能可能需要消化，但高良率的8英寸SiC依然稀缺；普通硅基功率器件竞争激烈，但车规级IGBT、MOSFET和模块能力依然有壁垒；低端消费和工控市场价格敏感，但AI服务器、主驱逆变器、储能PCS和高压快充，更看重的是可靠性与供货稳定；单颗芯片的门槛在下降，但从芯片到模块、再到系统验证的门槛，却在不断升高。

所谓“一边过剩，一边缺货”，说的正是这种分化的局面。

行业不缺产线，缺的是被客户真正认可的产能；不缺器件，缺的是能进车规、能上AI电源、能长期稳定交付的器件；不缺扩产故事，缺的是能穿越周期的订单质量。

结语

综上所述，当下的功率半导体领域，正在经历的绝非一轮简单的周期性景气回升，而是一场围绕“有效产能”的价值重估。

在这场变局中，新能源汽车依然是托底的基本盘，AI数据中心则充当了最大的爆发变量；与此同时，8英寸SiC正在重刻成本曲线，高压BCD与先进模块封装则在加速补齐系统级短板。

可以说，功率半导体的下半场，名为扩产，实为电气化浪潮下，核心基础设施的卡位战。