三星和SK海力士推迟应用混合键合封装工艺 因业内迫切性已大幅降低

全链网报道，7月9日，市场消息传来一个值得关注的动向：三星电子和SK海力士，原本在下一代HBM4内存中打算上马混合键合技术，现在却突然踩了一脚刹车，重新审视起了这个方案。

混合键合，是半导体先进封装领域里一项被寄予厚望的技术。按行业此前的预估，它最早会出现在16层堆叠的HBM4E产品上。但眼下，两大存储巨头似乎达成了某种默契——决定继续沿用传统热压键合技术路线。

这背后的原因，倒也不难理解。一方面，业界对HBM的厚度标准有所放宽，这让传统技术路线有了更多喘息空间；另一方面，客户那边对于超高堆叠的需求，也比预期来得更晚了一些。换句话说，市场紧迫性已经大幅降低，原本被视为“必选项”的技术升级，自然也就不急于一时了。