三星与SK海力士暂缓混合键合商用，HBM5或弃用该技术

2026年7月6日，三星电子和SK海力士在推动混合键合技术落地下一代高带宽存储器（HBM）这件事上，正在面临一个普遍的现实——核心技术落地的节奏，比预想中慢了不少。说得更直白一点：混合键合的全面商用时间，已经明显晚于当初的规划，两家厂商现在正在重新评估这个技术节点。即使在HBM5代产品上，混合键合也未必会如期上车。

混合键合的原理其实不复杂：直接通过铜互连结构将DRAM芯片连接起来，省去传统凸点工艺。理论上，这对降低HBM整体厚度、优化热管理都是好事。但问题来了，JEDEC组织最近正在讨论HBM5的规格，很有可能把厚度上限从现有的775微米，放宽到约1000微米。相比之下，HBM3E是720微米，HBM4已经是775微米。厚度容限一放大，混合键合在“减薄”这件事上的必要性，一下子就弱了不少。

与此同时，散热问题也有了新的解法。三星已经搞出了HPB热通道模块，通过在封装内部设置独立的热传导路径来高效导出热量；SK海力士则拿出了iHBM技术，把一种具备电绝缘特性的导热硅基冷却元件嵌在D2D物理层里，据说能降低热阻超过30%。这两家都已经计划在HBM5开始量产时，把自己的热管理方案正式投入应用。换句话说，散热方面的刚性需求，混合键合已经不是唯一或者最迫切的选择了。

再说市场端，目前产业链上下游对16层堆叠HBM的实际需求还谈不上共识。主流预期仍然会延续到HBM4E阶段，12层堆叠大概率还是主力。原因是，更高层数堆叠虽然性能理论上更好，但成本压力和良率问题还没有匹配上，产业化的动力不足。这自然进一步削弱了混合键合技术近期的紧迫感。

但话说回来，混合键合的研发没有被搁置。眼下HBM4已经实现了I/O数量翻倍，达到了2048个。如果未来HBM5E阶段I/O再度翻倍，达到4096个，那现有的热压合工艺就要面对凸点横向扩散加剧、互连密度上不去的瓶颈。到那个时候，混合键合就不再只是可选方案，而是实现高密度互连的必由之路。

所以综合来看，混合键合短期内大概率不会大规模铺开，但中长期看，当I/O密度迎来新一轮跃升的时候，它仍然是高带宽存储器技术演进中的核心方向，这一点不会变。