光芯片：AI算力时代的光子革命，光通信与光计算双轮驱动新征程

光芯片作为连接光通信与光计算的核心基石，正推动算力体系从“电互联”向“光互联”全面重构。目前光芯片产业美欧主导高端市场，中国在中游光模块和上游薄膜铌酸锂材料领域占据全球领先地位；随着1.6T光模块规模量产与CPO/OCS方案加速落地，技术自主化与商业化进程持续提速，国内全产业链投资热度显著攀升，由二级市场持续传导到一级市场。

在电子芯片逼近物理极限、AI算力需求呈指数级爆发的双重背景下，以光子为信息载体的光芯片技术正式迈入产业化关键阶段。凭借高速传输、低功耗、高并行性的天然优势，光芯片成为突破电互联瓶颈的核心解决方案，其应用场景已从最先发展的光通信领域，逐步延伸至光计算、量子信息、AR/VR等前沿赛道，形成了光通信与光计算双轮驱动的产业发展格局。当前，硅光、薄膜铌酸锂、异质集成等光互联三大核心材料路线同台竞技，MEMS、DLBS、液晶、硅光波导等光交换技术路径各有优劣，全球光芯片产业正处于技术快速迭代与国产替代加速推进的双重红利期。

光芯片产业现状与发展趋势

（一）产业阶段：从技术验证迈入规模化商用初期

光芯片是实现光电信号转换、调制、传输与计算的核心器件，是光通信网络与光计算系统的底层核心支撑。历经数十年技术积累与迭代，光芯片产业已成功完成从实验室研发到商用落地的关键跨越，具体表现为：

800G光模块已成为AI数据中心标配，1.6T光模块已完成北美头部云厂商认证并进入量产阶段，CPO/NPO/LPO封装技术与OCS全光交换方案实现规模化试点应用，有效支撑百万GPU级超大规模算力集群的稳定运行。

正从专用场景向通用化方向稳步探索，光子处理器在AI推理、矩阵运算、组合优化等核心任务中，展现出百倍于传统电子芯片的能效优势。光电异构集成已成为行业主流发展方向，国内外头部企业已推出多款工程化原型机，加速技术落地进程。

当前，光芯片行业核心发展趋势可概括为四大方向：

（从800G向1.6T/3.2T快速跃迁）、（光电共封装逐步替代传统分立封装，提升集成度与能效）、（光通信与光计算底层技术互通，异质集成成为核心突破方向）、（从核心的数据中心场景，延伸至自动驾驶、量子模拟、边缘计算等新兴领域）。

（二）核心驱动力：AI算力狂飙与电互联物理瓶颈的双重倒逼

光芯片产业的爆发式增长，本质上是

与双重因素共同倒逼的结果：

万亿参数大模型训练的万卡GPU集群常态化运行，使得数据中心内部数据流量暴增千倍，传统电互联（铜缆）方案已面临带宽不足、延迟过高、功耗过大的三重瓶颈。光互联凭借天然优势，成为算力集群高效运转的“神经网络”。

与此同时，随着摩尔定律逐渐失效，晶体管微缩已逼近物理极限，性能提升空间持续收窄。光子传输无电阻损耗、具备天然并行性的特质，使得光计算能够突破电子计算的能效与速度天花板，成为下一代算力体系的核心方向。

此外，5G-A/6G、卫星通信、AR/VR等下游新兴应用的快速发展，进一步推动光芯片向高速化、小型化、低功耗方向迭代升级，形成多场景需求共振，为产业发展注入持续动力。

光通信与光计算：双赛道协同发展，开启光子应用新纪元

光芯片的两大核心应用场景——光通信与光计算，并非孤立发展，而是呈现底层技术互通、产业协同推进的良性态势，形成“光通信技术成熟化反哺光计算，光计算需求升级推动光通信技术迭代”的双向赋能格局，共同开启光子应用新纪元。

（一）光通信：CPO/OCS成为AI时代核心基建，1.6T为量产核心节点

光通信是光芯片最成熟、最核心的应用场景，当前核心发展方向围绕

与展开。CPO与OCS已成为AI数据中心的核心标配，支撑超大规模算力集群高效运转：

800G光模块已成为AI数据中心标配，2026年全球出货量预计达3500-3800万只；1.6T光模块已完成北美头部云厂商认证，订单排期已至2026年下半年，预计全年出货量达800万只。硅光（含硅光引擎）与薄膜铌酸锂是核心技术支撑方案，其中薄膜铌酸锂凭借极致性能，成为1.6T/3.2T光模块的最优解。微环调制器则作为核心调控器件，大幅提升光模块的集成度与传输效率。

CPO/NPO/LPO三大路线同步落地，三者基于不同的集成程度与技术路径，适配不同场景的需求，形成互补共生的发展格局，具体对比如下：

*云岫资本根据公开信息总结梳理

三大封装路线中，英伟达主推的CPO方案，通过光引擎与芯片直连，可使带宽密度提升3倍、功耗降低50%，完美适配超大规模GPU集群需求；NPO作为过渡方案，兼顾性能与兼容性，成为国内云厂商的首选；LPO凭借高性价比优势，适配中低速、成本敏感型场景。三者协同覆盖不同层级数据中心的需求，推动光封装向集成化、低功耗、低成本方向迭代。

替代传统电交换方案，实现光信号的直接调度，实测吞吐量提升30%、功耗降低40%，市场增长潜力巨大。2026年全球市场规模约25亿美元，2029年预计突破160亿美元，四年复合增速达41%。当前MEMS为商用主流方案，硅光波导为未来核心升级方向。

（二）光计算：从专用到通用，光电异构成为主流范式

光计算是以光子为信息载体的新型计算范式，具备

三大核心优势。在AI推理、矩阵运算、组合优化等核心任务中，性能表现远超传统电子芯片。当前行业正处于的关键阶段：

光子传输速度接近光速，无电阻损耗，能效比传统电子芯片高百倍以上。例如，清华大学“太极”光芯片能效达182TOPS/W，国内头部科研团队研发的光子计算系统在Ising问题中延迟仅5ns，较A100 GPU快500倍，可有效解决电子计算的能效与速度瓶颈。

光电异构集成已成为行业主流范式，通过电子芯片处理分支逻辑，光子芯片专注稠密矩阵运算，有效解决光计算“逻辑处理能力弱”的核心痛点。硅光与薄膜铌酸锂为核心材料支撑，硅光引擎实现电光器件一体化集成，异质集成技术则实现多种材料与器件优势的融合，最大化光芯片性能。

光计算已从实验室走向商用场景。国内某头部商业银&行已部署自主研发的光子风控系统，将反欺诈交易处理延迟压缩至0.3毫秒，大幅提升风控效率；华&为与华中科大联合研发的光线追踪芯片，可加速3D渲染与科学模拟进程；Lightmatter光子处理器在ResNet-18任务中，精度与32位浮点电子芯片相当，展现出良好的商用潜力。

光计算将向通用化、高密度集成方向持续发展，全光反向传播、3D堆叠、多模态光子芯片成为研发重点，预计2030年前推出商用化通用光子协处理器，进一步拓展应用场景。

核心技术路线对比：材料与架构的赛道之争

光芯片的技术竞争核心围绕

展开，底层材料与架构的选择，直接决定产品的性能、成本与适配场景。其中，是光通信与光计算领域的三大核心材料技术路线；则是OCS全光交换的主流实现路径。各路线优劣势鲜明，尚未形成技术收敛态势，行业呈现“百花齐放”的良性竞争格局。

（一）光芯片核心材料路线：硅光、薄膜铌酸锂、异质集成

三大核心材料路线分别依托成熟工艺、极致性能、融合优势，适配不同场景的需求。其中，薄膜铌酸锂已成为高端赛道的最优解决方案，异质集成则是行业公认的未来终极发展方向。

*云岫资本根据公开信息总结梳理

硅光技术是当前商业化应用的主流路线，凭借成熟工艺、量产优势与成本优势，主导中低速率光芯片市场；薄膜铌酸锂作为高端光通信领域的“性能天花板”，凭借超高带宽、低功耗、优异线性度，成为1.6T/3.2T光模块与CPO封装的最优技术方案。中国企业占据全球42%的产能，其中济南晶正拿下全球78%的薄膜铌酸锂晶圆市场份额，具备全球竞争优势；异质集成是行业未来的终极发展方向，通过融合各材料的核心优势，实现光芯片性能与集成度的双重突破，成为光计算与下一代光通信的核心支撑技术。

（二）核心光调制器对比：MZM、EAM、MRM三大主流路径

光调制器是光芯片实现光信号精准调控的核心器件，其性能直接决定光通信速率、光计算能效及集成密度，是光芯片技术迭代的关键抓手。目前行业主流光调制器主要分为三类：MZM（马赫-曾德尔调制器）、EAM（电吸收调制器）、MRM（微环调制器）。三者基于不同工作原理，在性能、成本、适配场景上各有侧重，与硅光、薄膜铌酸锂、异质集成三大核心材料路线深度绑定，共同支撑高速光通信、光计算等场景的落地。

*云岫资本根据公开信息总结梳理

MZM是当前高速光通信领域的主流调制器，凭借优异的线性度、超宽带宽与稳定性能，成为1.6T/3.2T光模块与CPO封装的核心选择，薄膜铌酸锂基MZM更是高端赛道的性能标杆；EAM凭借低成本、可单片集成、响应速度快的优势，主导中低速光模块与短距离光互联场景，具备不可替代的规模化应用价值；MRM作为新型调制器，凭借超高集成度、极低功耗与多通道并行调制能力，成为光计算与高密度集成场景的核心突破口。硅基MRM已实现商用，薄膜铌酸锂基MRM潜力巨大，三者协同覆盖不同层级应用需求，共同推动光芯片向高速化、高密度、低功耗升级。

（三）OCS全光交换技术路径：MEMS、DLBS、液晶、硅光波导

OCS（光电路交换）作为AI算力集群的“新中枢”，可替代传统电交换实现光信号的直接调度，大幅提升算力集群的传输效率与能效。其核心技术路径主要包括

，其中MEMS为当前商用主流方案，硅光波导则是未来的核心升级方向。

*云岫资本根据公开信息总结梳理

MEMS方案凭借成熟的商用化能力、优异的传输性能与高适配性，占据当前OCS全光交换市场的绝对主导地位。其中，谷歌3D MEMS方案已在TPUv4集群中实现规模化应用；DLBS与液晶方案作为重要补充，凭借高可靠性、低维护成本的优势，精准适配低频次切换、高稳定性需求的细分场景；硅光波导凭借超高速切换、超高集成度、无机械磨损的核心优势，成为未来OCS技术升级的核心方向，适配下一代超高速光交换与CPO集成需求，商业化潜力巨大。

光芯片产业格局：全球竞合与国产替代加速

（一）全球格局：美欧主导高端，中国在材料与中低端实现突破

当前，全球光芯片产业呈现

的竞争格局，各区域凭借自身优势占据不同市场份额：

掌握光芯片高端领域核心技术，企业覆盖全产业链。核心代表企业包括Lumentum（高速激光器领域龙头）、Coherent（光调制器与OCS方案核心供应商）、Intel（硅光技术领军企业）、Lightmatter（光计算领域前沿企业）。此外，英伟达通过投资与技术整合，已成为光通信+光计算的生态主导者。

在光器件与核心材料领域具备深厚技术积累，优势显著。如芬兰IQM、法国IXBlue等企业，在光调制与集成技术方面处于全球领先水平。

中低速激光器芯片（2.5G/10G）已实现自主可控，市场国产化率较高；在薄膜铌酸锂材料领域，中国企业占据全球42%的产能，济南晶正、天通股份成为全球核心供应商，具备绝对市场优势。但高端领域仍存在短板，25G及以上高速激光器芯片国产化率仅4%，高端外延片、高速激光器等核心器件仍依赖进口。

全球光芯片市场规模保持高速增长态势，2024年全球市场规模达262.82亿元，2025年预计增至299.34亿元，2025-2031年复合增长率达15.42%。中国市场表现更为亮眼，2024年市场规模达151.56亿元，在国产替代浪潮的推动下，未来增速将持续高于全球平均水平。

（二）产业链结构：

光芯片产业链已形成清晰三层级分工结构。上游衬底、EDA、半导体设备为底层核心壁垒，中游细分光芯片、代工、交换设备、光模块多环节协同，下游AI算力与通信场景持续释放需求。三层联动共同驱动产业迭代升级，各层级细分业务如下：

衬底材料：覆盖SOI硅片、InP磷化铟、GaAs砷化镓、SiN氮化硅、LNOI铌酸锂薄膜等光芯片基底材料；光芯片设计EDA工具：用于光子芯片仿真、版图设计；核心半导体设备：覆盖光刻、刻蚀、沉积、MOCVD、外延生长等光芯片晶圆制造必备设备。

中游为光芯片产业核心承载环节，按产品形态细分六大板块。国内在光模块封装环节具备全球领先竞争力，光芯片、晶圆代工、光交换芯片环节加速国产替代。

下游覆盖算力、通信、车载、元宇宙四大赛道。AI数据中心与云计算厂商是当前第一大需求来源，市场需求占比超60%，持续拉动高速有源光芯片、CPO、OCS设备增量。

（三）国内融资事件：光芯片赛道融资呈现“头部项目大额融资+中早期项目密集落地”的特征

据公开信息统计（数据收集截止至5月底），2025年国内光芯片领域共完成融资超20起。其中，曦智科技全年累计融资超18亿元（含C4轮3亿元、C轮融资超15亿元部分），优迅股份IPO受理拟募资8.89亿元，老鹰半导体B+轮获超7亿元融资，头部企业通过大额资金加速产业化落地。2026年开年前5个月融资热度持续攀升，仅1-5月已完成融资超25起，接近2025年全年规模。灵明光子获3亿元战略融资、海光芯正获2亿元财务资助、芯速联超5亿元融资等案例，反映出资本对光芯片赛道的关注度呈爆发式增长。

从融资轮次分布看，2025-2026年天使轮、Pre-A轮等早期项目占比约35%，A轮及后续阶段融资占比超45%，其中B轮及以上大额融资案例达10余起。这一结构印证行业已从技术验证阶段迈入产业化加速期。当前赛道已摆脱早期概念驱动，进入以产品落地、客户验证为核心的分层发展阶段。具备高速率光芯片、硅光集成等核心技术的企业，有望在数据中心、AI算力、通信网络等场景需求爆发下，迎来规模化增长机遇。

投资方向：把握技术迭代与国产替代双重红利

当前，光芯片产业正处于

的黄金发展期。行业投融资热度持续攀升，2025年以来全球光芯片相关融资额同比增长超50%，投资方向覆盖全产业链，核心围绕与展开，精准把握两大主线可挖掘核心投资机会。

AI数据中心核心需求赛道，市场增长确定性强。重点关注具备200G/lane PIC、1.6T光模块量产能力，NPO/CPO封装技术储备充足，且在硅光引擎、微环调制器等核心器件上有技术积累的行业龙头企业。

AI算力集群的核心支撑，市场增长潜力巨大。重点关注硅光波导方案研发领先的前沿企业。

光计算的主流发展方向，技术壁垒高、产业价值大。重点关注具备3D堆叠、异质封装技术的企业与科研院所转化项目。

在AI推理、金融风控、组合优化等场景已实现商用落地。重点关注具备工程化转化能力与场景落地能力的优质标的。

国内国产化率仅4%，供需缺口巨大，进口替代空间广阔。重点关注具备DFB、EML、CW激光器芯片量产能力的核心企业。

包括磷化铟外延片、高端光芯片EDA工具、量子点激光器等，均为国内“卡脖子”环节。重点关注实现技术突破、具备进口替代能力的国产企业。

小结

光芯片是AI算力时代的

与，凭借高速传输、低功耗、高并行性的天然优势，成功突破了传统电子芯片的物理极限，开启了“光子替代电子、光互联支撑算力、光计算重构算力”的光子革命新纪元。当前，光芯片产业已从技术验证阶段正式迈入规模化商用初期。光通信领域1.6T光模块、CPO封装、OCS全光交换已实现规模化落地；光计算领域正从专用场景向通用化方向稳步探索。硅光、薄膜铌酸锂、异质集成三大核心材料路线各显优劣，MEMS、DLBS、液晶等光交换路径同台竞技，行业呈现多元化发展态势。

全球光芯片产业格局呈现“美欧主导高端、中国在材料与中低端实现突破”的态势。中国企业在薄膜铌酸锂材料领域占据全球主导地位，成为光子芯片国产替代的标杆，但25G及以上高速激光器芯片与上游核心零部件仍面临“卡脖子”问题，国产替代攻坚任重道远。在AI算力需求爆发与国家政策扶持的双重驱动下，光芯片产业将迎来

与的双重红利，全产业链均存在重大投资机会。

未来，随着异质集成技术的不断成熟、光电异构架构的广泛普及，以及3.2T光模块与通用光计算芯片的逐步落地，光芯片将成为支撑AI、6G、量子信息、AR/VR等前沿产业发展的核心基础，重塑全球科技竞争格局。中国凭借在薄膜铌酸锂等核心材料领域的领先优势，以及完善的光模块产业链配套能力，有望在这场光子革命中实现“换道超车”，培育出一批具备全球核心竞争力的行业龙头企业，推动我国光子产业实现高质量发展。