英特尔与联电合作开发12nm与3nm芯片工艺，挑战台积电市场地位

近日，半导体行业传出重要合作。据报道，英特尔（Intel）已与全球第四大晶圆代工厂联电（UMC）达成合作协议，双方将共同开发12纳米与3纳米芯片制造工艺。此举被视为英特尔挑战台积电（TSMC）在代工市场主导地位的关键一步，同时也标志着长期专注于成熟制程的联电首次涉足前沿制程领域。

根据公开信息，联电在全球拥有12座晶圆厂，员工数量超过2万人，其产品广泛应用于工业与消费电子领域。此次合作，联电无需自行购置昂贵的极紫外光刻机等核心设备，将主要利用英特尔的先进制造能力。双方计划在英特尔位于美国亚利桑那州的Fab 52工厂集中进行生产。

12nm工艺合作率先落地，瞄准物联网市场

据悉，双方的12纳米工艺合作将率先推进。该工艺的PDK（工艺设计套件）预计将于

，计划在，并于同年底进入量产阶段。这一制程节点主要定位于物联网、WiFi芯片等对性能和功耗有特定要求的市场。

共同开发对标台积电的3nm制程

在更先进的3纳米工艺方面，英特尔与联电计划共同开发一款性能对标台积电3纳米制程的节点技术，旨在帮助英特尔在全球代工市场获取更大的份额。具体的合作协议结构与12纳米项目类似，联电将借助英特尔的制造能力实现技术跃迁，而英特尔则希望通过联电的客户资源，提升自身工厂的产能利用率，增强市场竞争力。