SK海力士将在年底前量产375层NAND “以钼代钨”有望助力性能提升

全链网报道，6月11日，韩国科技媒体《THEELEC》披露了一个重磅消息：SK海力士已经完成了下一代V10系列375层3D NAND闪存的生产验证，目前正加速推进产线转换，目标是2026年通过现有工厂的升级实现大规模量产。这一动作背后，直指三星电子在超高堆叠技术领域的王者地位。而此次技术迭代中，最引人瞩目的亮点，其实藏在金属布线层的材料革新里——部分字线将从传统的钨换成钼，这看似微小的变化，却可能成为整个行业向600层以上迈进的钥匙。

你可能会问，为什么偏偏是钼？随着3D NAND堆叠层数不断攀升，传统材料的电阻和可靠性瓶颈愈发突出。钼的特性恰好能化解这些难题：在高密度、高电流的环境下，钼的电阻率更低，信号延迟更小，还能承受更严苛的物理应力。换句话说，当堆叠高度突破600层时，钼材料将不再是可选项，而可能是唯一的选择。

从市场格局来看，SK海力士的这一突破意义非凡。过去几年，三星在3D NAND领域一直占据着技术制高点，但行业共识是，随着堆叠层数逼近物理极限，真正的竞争焦点已经从“谁能叠得更高”转向了“谁能用新材料实现更优性价比”。SK海力士在375层率先导入钼金属布线，相当于在下一轮竞赛中提前抢占了先机。可以预见，未来两到三年内，钼材料的应用将加速扩散，整个NAND闪存的工艺路线图都将因此改写。

值得注意的是，SK海力士选择通过现有工厂升级来推进量产，而不是新建产线，这一策略相当务实。这既降低了资本开支风险，也缩短了技术落地的周期。对于三星而言，这无疑是一记重锤——在超高堆叠时代的序幕刚刚拉开时，对手已经亮出了杀手锏。