SK海力士375层堆叠V10 NAND完成验证 计划于2026年内实现大规模量产。

据悉，SK海力士已完成其新一代V10 NAND闪存的生产验证，目前正进行量产转移准备。该产品计划于2026年内，通过对现有产线进行制程升级来实现大规模生产。

报道称，SK海力士原本计划在V10世代采用400层堆叠设计，但为降低量产技术难度，最终选用了375层堆叠方案。据悉，公司未来还规划了480层及604层的3D NAND产品。

在技术层面，SK海力士在V10 NAND的金属布线层中应用了新的材料，以获得更低的电阻和更好的填充性能。同时，在钼沉积工艺中，将采用更具成本优势的TEL炉式设备。