日本科研团队突破晶体管极限，绝缘层厚度仅0.2纳米

在半导体工艺向2纳米及更先进节点迈进的过程中，晶体管结构的革新是关键。当前主流的FinFET结构将逐步被GAA环绕栅极晶体管取代，以实现更高的集成密度和性能。然而，这一转变也伴随着严峻的技术挑战，尤其是在栅极绝缘层厚度的缩减上遇到了瓶颈。

近日，东京科技大学电气电子系星井拓也教授及其合作团队宣布了一项重要进展。他们成功将GAA晶体管中的栅极绝缘层厚度缩减至仅

，这相当于一个原子层的厚度。这一突破对于提升晶体管密度至关重要。根据国际半导体技术路线图，2纳米以下工艺要求等效氧化层厚度缩减至0.9纳米，而此前技术仅能达到1.4纳米左右。

不止于厚度缩减的双重突破

该团队的贡献不仅在于物理尺寸的极限压缩。他们还引入了一种新型材料作为偶极层，用以更精确地调控晶体管的阈值电压。这项技术使得电压调节范围更广、波动更小，能够精准适配高性能核心与高能效核心的不同需求，为未来芯片设计提供了更大的灵活性。

这项研究成果已入选2026年VLSI Symposium国际会议，并将于6月14日至18日期间公布更多技术细节。更为重要的是，该团队开发的材料和工艺

，这为其未来的商业化应用铺平了道路，标志着实验室成果向产业转化迈出了关键一步。