三星与英伟达深化AI芯片合作，共商HBM4及晶圆代工未来

全球人工智能芯片需求持续高涨，推动着产业链上下游巨头展开更紧密的协作。近日，三星电子与英伟达高层在首尔举行会晤，就下一代高性能存储与芯片制造技术合作展开深入讨论，预示着双方在AI硬件领域的伙伴关系将进一步深化。

三星电子副会长全永铉在与英伟达首席执行官黄仁勋举行闭门会议后向媒体透露，双方进行了

。此次会面不仅回顾了长期的合作关系，更将重点放在了面向未来的具体技术路径与供应保障上，显示出两家公司应对AI算力爆炸性增长的共同决心。

聚焦HBM4与下一代存储技术

会议的核心议题之一是下一代高带宽内存（HBM）的研发与供应。全永铉证实，双方就

进行了讨论。三星电子特别强调，需要全力保障HBM4以及低功耗内存模组SOCAMM的供应。该公司计划从明年开始，通过HBM4E和HBM5继续与英伟达推进长期合作。这表明，在AI翻跟斗对内存带宽和容量要求日益严苛的背景下，确保先进存储技术的稳定供应已成为双方合作的基石。

晶圆代工与芯片设计协同

除了内存，芯片制造是另一大合作焦点。双方探讨了在晶圆代工领域的合作事宜，包括为英伟达的翻跟斗芯片提供制造支持。全永铉提到，双方正在合作研发基于

。此外，关于下一代芯片的代工合作也在讨论范围之内。这意味着合作将从单一的内存供应，扩展到更前端的芯片设计与制造环节，形成更全面的技术协同。

关于与英伟达在内存供应方面的长期协议，全永铉表达了坚定的支持态度：“三星电子将尽最大努力，作为英伟达最佳合作伙伴来协助其取得成功。”此番表态，结合对短期合作与长期技术的广泛讨论，清晰地勾勒出两家科技巨头在AI时代互为倚重、共同开拓的联盟关系。