三星率先交付12层HBM4E样品，AI内存性能提升超20%

在AI算力竞赛持续白热化的背景下，核心存储部件的技术迭代正成为关键战场。近日，三星电子宣布已开始向全球主要客户交付业内首批12层48GB HBM4E样品，标志着下一代高带宽存储器（HBM）的商用进程迈出关键一步。

HBM是AI加速芯片（如GPU）的核心配套部件，其带宽与容量直接决定了大规模AI训练与推理的效率。当前市场由三星、SK海力士和美光三巨头主导。三星此次率先交付HBM4E样品，旨在巩固其在高端AI内存市场的地位，并回应竞争对手的快速追赶。

技术规格与性能跃升

据三星介绍，这款12层HBM4E是HBM4的迭代升级产品。它采用了三星第六代10纳米级（1c）DRAM工艺，并整合了三星晶圆代工的4nm逻辑基片。与上一代HBM4相比，HBM4E在多个维度实现了显著提升。

在核心性能上，HBM4E可提供稳定的14 Gbps引脚传输速度，并可扩展至16 Gbps。

，这将极大助力提升大语言模型及下一代AI系统的计算效率。容量方面，12层堆叠提供了48GB，比上一代产品容量增加了30%以上。三星还计划根据客户需求，扩展包括32GB（8层）和64GB（16层）在内的产品线配置。

能效与散热优化

除了性能与容量，能效和散热对于高负载的AI数据中心至关重要。三星通过低功耗设计与先进的封装优化，使HBM4E的能效提升了16%。同时，热阻改善了超过14%，散热效率得到显著增强，有助于降低数据中心在高强度AI运算下的整体能耗与冷却成本。

在完成初步样品交付与客户端的优化测试后，三星将根据客户的具体进度安排，启动HBM4E的量产工作。三星自2015年进入HBM赛道，产品已历经十代迭代，并于2026年2月率先实现了HBM4的量产。

市场竞争格局

当前HBM市场呈现三足鼎立、激烈竞争的态势。作为当前市场份额的领导者，SK海力士的HBM4已于2025年9月量产；其HBM4E计划于2026年下半年送样、2027年量产，将采用基于1c nm制程的DRAM裸片，基础裸片则由台积电以3nm工艺生产。

另一巨头美光方面，其HBM4产能爬坡进展顺利，并计划于2027年量产HBM4E。据悉，美光的HBM4E将采用其10纳米级第六代1γ工艺，这将是美光首次在量产工艺中引入EUV光刻设备，其基础裸片同样委托台积电制造。三大厂商的技术路线与量产时间表，预示着未来几年AI内存市场的竞争将更加激烈。