激光雷达GaN驱动芯片技术获突破，助力高精度三维感知应用

在自动驾驶、机器人导航等领域对高精度三维感知需求日益增长的背景下，激光雷达（LiDAR）的核心驱动技术迎来新进展。传统硅基功率器件在高频、高压场景下性能受限的问题，有望通过新型氮化镓（GaN）驱动芯片方案得到解决。

近期，国内科研团队在高速GaN激光二极管驱动器（LDD）设计上取得重要成果。该研究聚焦于解决

的关键技术瓶颈。研究表明，在此类严苛工况下，栅极驱动环路的寄生电感会限制主开关管的开关速度，并引发栅压振铃，可能导致器件误开启或承受过压风险。

单片集成技术路径破解核心难题

为从根本上突破上述性能限制，研究团队探索并实践了将预驱动电路与主控开关管（MCTRL）进行

的新型技术路径。这一设计创新旨在优化驱动环路，减少寄生参数影响，从而提升整体开关速度和系统可靠性。

该系列研究工作获得了国家重点研发计划、国家自然科学基金等多个国家级及省级科研项目的支持。目前，相关技术成果已通过产学研合作推进转化，并

，为开发高分辨率、远探测距离的激光雷达系统提供了关键部件支撑。