三星突破10纳米DRAM技术瓶颈 全球首产采用4F Square架构

据悉，三星电子在DRAM生产领域取得重大突破，首次引入4F Square单元结构与垂直通道晶体管（VCT）工艺。4F Square是一种先进的DRAM单元结构设计，将每个存储单元置于2F×2F的面积内，相比传统6F Square设计能显著提升存储密度。

VCT全称为垂直通道晶体管，通过将晶体管通道方向由水平改为垂直，让电荷存储电容可以直接堆叠在晶体管上方。这种立体结构有效缩短了单元间距，打破了传统平面结构的微缩瓶颈。

10a工艺被视为DRAM进入10nm以下节点的首代技术，其实际电路线宽约为9.5至9.7nm。相比当前主流设计，4F Square结构能在相同芯片面积下将单元密度提升30%至50%。新技术面临的主要挑战是材料变革，包括通道材料从硅转变为铟镓锌氧化物（IGZO）。