佰维存储发布工业宽温级eMMC新品TGE408 搭载自研主控与本土NAND闪存

佰维存储近日推出工业宽温级eMMC嵌入式存储新品TGE408。该产品采用本土NAND闪存颗粒，搭配公司自研主控芯片和固件算法。

TGE408采用FBGA 153 Ball封装设计，支持eMMC 5.1协议和HS400高速模式，顺序读取速度最高可达330MB/s，写入速度最高220MB/s。

产品提供两种版本：8GB/16GB版本采用Win-pSLC固件技术，写入耐久达10万次P/E循环；64GB/128GB版本写入耐久为3000次P/E循环。