三星电子西安晶圆厂成功实现V8 3D NAND闪存量产 提升AI时代存储竞争力

据悉，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂近期成功完成工艺制程升级，实现V8（236L）3D NAND闪存量产。

西安晶圆厂是三星在韩国本土外重要的半导体生产基地。本次制程升级始于2024年，旨在改造原有的V6（128L）NAND生产线，以增强产能竞争力，满足AI时代对高性能存储设备的需求。

在量产V8 NAND后，相关生产线将位于X2工厂，计划在2026年内完成过渡并实现量产。