三星平泽P4进展：PH1变身NAND/DRAM混合工厂

据报道，三星电子正在加速推进其位于平泽第四园区（P4）第二期（PH2）和第四期（PH4）的投资计划。预计总金额约为7万亿韩元的外部基础设施建设将在今年下半年全面启动。原本设计为NAND闪存制造厂的PH1阶段，现已调整为同时生产NAND闪存与10纳米级第四代（1a）DRAM的复合型工厂，目前设备安装工作已接近完成。

关于PH2的用途，三星内部仍在进行评估，考虑是将其作为DRAM专用产线，还是转型为兼具存储与代工能力的混合型晶圆厂。

此前有消息称，平泽P4项目由四个阶段组成，涵盖最先进的存储与代工生产线。最初规划依次建设存储产线PH1、代工厂PH2、存储产线PH3以及代工厂PH4，以逐步完成整个P4园区的布局。