华虹宏力“改善台面结构削角的方法”专利公布

上海华虹宏力半导体制造有限公司一项名为“改善台面结构削角的方法”的专利技术已于2025年2月28日公开，申请公布号为cn119542136a。天眼查信息显示，该专利技术旨在解决半导体制造中台面结构削角问题。

该方法包括以下步骤：首先在衬底上形成ONO层和深沟槽；然后通过热氧化在深沟槽表面形成第三氧化层，并利用回刻蚀控制氮化层突出量；之后依次形成第四氧化层和第一多晶硅层，再回刻蚀第一多晶硅层；接下来形成第五氧化层和光刻胶层，并以光刻胶层和氮化层为阻挡层刻蚀形成浅沟槽，去除光刻胶层和剩余ONO层；最后，在浅沟槽中依次形成第六氧化层和第二多晶硅层，并回刻蚀第二多晶硅层至所需高度。通过这些步骤，有效改善了台面结构的削角问题。