奕斯伟“用于晶圆外延生长的基座和装置”专利公布

西安奕斯伟材料科技股份有限公司近日公布一项名为“用于晶圆外延生长的基座和装置”的新专利（申请公布号：cn119530959a，申请公布日：2025年2月28日）。

该专利涉及半导体技术领域，旨在提升晶圆外延生长工艺的精度。专利描述了一种新型基座，其圆盘形承载结构由N个第一扇形区和N个第二扇形区构成，其中第一扇形区边缘区域厚度大于内部区域厚度，而第二扇形区厚度均匀。这种设计能够有效控制基座与晶圆之间不同区域的温差，从而调节晶圆生长速率，最终实现晶圆厚度更均匀，显著提升Nano品质。